RW1E025RP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RW1E025RP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
RW1E025RP Datasheet (PDF)
rw1e025rp.pdf

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RW1E025RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(4V)Abbreviated symbol : UT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (6) (5) (4)Type Code T2CR2Basic o
rw1e015rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RW1E015RP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Space saving, high power package. 3) Low voltage drive. (4V) (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : UJSwitching Inner circuit (6) (5) (4) Packaging specifications Package Taping 2Type Code T2R1Basic orde
rw1e014sn.pdf

4V Drive Nch MOSFET RW1E014SN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance, High speed switching. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, Small Surface Mount Package (WEMT6). (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : PNSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: KF6N70I | SVF4N65RD | NDT6N70 | PHX20N06T | TPCF8105 | IPD50R280CE | NCE65T680
History: KF6N70I | SVF4N65RD | NDT6N70 | PHX20N06T | TPCF8105 | IPD50R280CE | NCE65T680



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement