RXH070N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RXH070N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SOP8
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RXH070N03 datasheet
rxh070n03.pdf
Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RXH070N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TB Basic ordering unit (pieces
Otros transistores... RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , IRF540N , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 .
History: AP25N170I | SK2302AA | H2N60U
History: AP25N170I | SK2302AA | H2N60U
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