RXH070N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RXH070N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для RXH070N03
RXH070N03 Datasheet (PDF)
rxh070n03.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRXH070N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETSOP8(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TBBasic ordering unit (pieces
Другие MOSFET... RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , IRF540N , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 .
History: FCB11N60FTM | NTLUS3A90PZTAG | S70N06RP | WMN03N80M3 | WNMD2174 | SSF5N60G | 2P829E9
History: FCB11N60FTM | NTLUS3A90PZTAG | S70N06RP | WMN03N80M3 | WNMD2174 | SSF5N60G | 2P829E9



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor