KP501B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP501B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Encapsulados: KT26
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KP501B datasheet
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Otros transistores... RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , IRF9540 , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V , KP504G , KP504D , KP504E , KP505A .
History: AP2P9R0LYT
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