KP501B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: KP501B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 100 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: KT26
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам