KP509V9 Todos los transistores

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KP509V9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP509V9

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 14 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 16 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT46A

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KP509V9 Datasheet (PDF)

5.1. kp509.pdf Size:213K _integral

KP509V9
KP509V9

КП509 n-канальный МОП транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использов

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