KP509V9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KP509V9
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 14 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
Тип корпуса: KT46A
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KP509V9 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... KP504G , KP504D , KP504E , KP505A , KP505V , KP505G , KP509A9 , KP509B9 , IRF9540N , KP511A , KP511B , KP523A , KP523B , KP504B , KP505B , KP507A , KP508A .
History: AP2N7002
History: AP2N7002



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTK080P03A | JMTK068N07A | JMTK060P03A | JMTK060N06A | JMTK050P03A | JMTK035N04L | JMTK018N03A | JMTI60N04A | JMTI50N06B | JMTI320N10A | JMTI3005A | JMTI290N06A | JMTI210P02A | JMTI10N10A | JMTI080P03A | JMTI080N02A
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r