C2T212 Todos los transistores

 

C2T212 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C2T212
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 27 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 35 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: MACROH

Otros transistores... BUZ908P , BUZ90A , BUZ92 , BUZ94 , C2T204 , C2T205 , C2T206 , C2T211 , IRF830 , C2T213 , C2T225 , C2T225A , DM601 , DM616 , ECG221 , ECG454 , ECG455 .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
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