C2T212 Todos los transistores

C2T212 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C2T212

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 27 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 35 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm

Encapsulados: MACROH

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros