PT9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT9926

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.03 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PT9926

PT9926 Datasheet (PDF)

1.1. pt9926.pdf Size:2323K _htsemi

PT9926 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A < ? 40m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A < 30m ? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Mi

5.1. cmpt992p.pdf Size:323K _upd

CMPT992 CMPT992P CMPT992F www.centralsemi.com CMPT992E DESCRIPTION: SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTOR are PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE: SEE MAR

5.2. cmpt992.pdf Size:323K _upd