PT9926 Todos los transistores

 

PT9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PT9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2323K  htsemi
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PT9926

PT992620V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A

 ..2. Size:158K  cn puolop
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PT9926

PT9926 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A

 9.1. Size:323K  central
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PT9926

CMPT992CMPT992PCMPT992Fwww.centralsemi.comCMPT992EDESCRIPTION:SURFACE MOUNT PNP LOW NOISEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTORare PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE: SEE MAR

 9.2. Size:323K  central
 cmpt992.pdf pdf_icon

PT9926

CMPT992CMPT992PCMPT992Fwww.centralsemi.comCMPT992EDESCRIPTION:SURFACE MOUNT PNP LOW NOISEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTORare PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE: SEE MAR

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History: ME2312 | ME2324D-G | CS37N5 | 2N6660C4A | TK7J90E | 2N6659-2 | SIR626DP

 

 
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