PT9926 Todos los transistores

 

PT9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PT9926

 

PT9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2323K  htsemi
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PT9926

PT9926 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A

 ..2. Size:158K  cn puolop
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PT9926

PT9926 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A

 9.1. Size:323K  central
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PT9926

CMPT992 CMPT992P CMPT992F www.centralsemi.com CMPT992E DESCRIPTION SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTOR are PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE SEE MAR

 9.2. Size:323K  central
 cmpt992.pdf pdf_icon

PT9926

CMPT992 CMPT992P CMPT992F www.centralsemi.com CMPT992E DESCRIPTION SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTOR are PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE SEE MAR

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