PT9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PT9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PT9926

PT9926 Datasheet (PDF)

..1. Size:2323K htsemi
pt9926.pdf

PT992620V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A

..2. Size:158K cn puolop
pt9926.pdf

PT9926 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A

9.1. Size:323K central
cmpt992p.pdf

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9.2. Size:323K central
cmpt992.pdf

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