PT9926 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT9926 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: SOP8
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PT9926 datasheet
pt9926.pdf
PT9926 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A
pt9926.pdf
PT9926 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A
cmpt992p.pdf
CMPT992 CMPT992P CMPT992F www.centralsemi.com CMPT992E DESCRIPTION SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTOR are PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE SEE MAR
cmpt992.pdf
CMPT992 CMPT992P CMPT992F www.centralsemi.com CMPT992E DESCRIPTION SURFACE MOUNT PNP LOW NOISE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTOR are PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE SEE MAR
Otros transistores... SI2302, SI2312, XP151A13COMR, AO3400, PT8205, PT8205A, PT8822, PT4410, 4N60, SI2301, SI2305, XP152A12COMR, AO3401, AO3407, PT4435, SM103, SM104
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: CES2316 | APG054N10D
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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