PT9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de PT9926 MOSFET
PT9926 Datasheet (PDF)
pt9926.pdf

PT992620V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A
pt9926.pdf

PT9926 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A
cmpt992p.pdf

CMPT992CMPT992PCMPT992Fwww.centralsemi.comCMPT992EDESCRIPTION:SURFACE MOUNT PNP LOW NOISEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTORare PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE: SEE MAR
cmpt992.pdf

CMPT992CMPT992PCMPT992Fwww.centralsemi.comCMPT992EDESCRIPTION:SURFACE MOUNT PNP LOW NOISEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT992 types SILICON TRANSISTORare PNP silicon low noise transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise amplifier applications where a high BVCEO is required. MARKING CODE: SEE MAR
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History: FDC642P-F085P | AP15N10 | ST2301A | SFB077N100AC2 | VP0300M | UPA2702GR | ME3443-G
History: FDC642P-F085P | AP15N10 | ST2301A | SFB077N100AC2 | VP0300M | UPA2702GR | ME3443-G



Liste
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