F5001H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5001H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F5
- Selección de transistores por parámetros
F5001H Datasheet (PDF)
Otros transistores... C2T213 , C2T225 , C2T225A , DM601 , DM616 , ECG221 , ECG454 , ECG455 , 50N06 , F5016H , F5017H , F5018 , F5019 , F5020 , F5021H , F5022 , F5023 .
History: IPD80R900P7 | ME4856-G | CS8N80A8D | DMTH6002LPS-13 | FTK2012 | IRF6775MTRPBF | RSR020N06TL
History: IPD80R900P7 | ME4856-G | CS8N80A8D | DMTH6002LPS-13 | FTK2012 | IRF6775MTRPBF | RSR020N06TL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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