F5001H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: F5001H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220F5
Аналог (замена) для F5001H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
F5001H даташит
Другие IGBT... C2T213, C2T225, C2T225A, DM601, DM616, ECG221, ECG454, ECG455, 50N06, F5016H, F5017H, F5018, F5019, F5020, F5021H, F5022, F5023
History: STB85NF55LT4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555

