SGM3055 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGM3055
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SGM3055

SGM3055 Datasheet (PDF)

..1. Size:723K secos
sgm3055.pdf

SGM3055 5.8A , 30V , RDS(ON) 28 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The GM3055 provide the designer with the best Acombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 package 4Top View

9.1. Size:978K nell
nsgm300gb120b.pdf

RoHS NSGM300GB..B Series RoHS SEMICONDUCTORIGBT Module (2 in one-package), 300A Features1. High frequency operation2. Low losses and soft switching3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss Typical Applications48.5AC Motor Control25 25DC Motor ControlUPS

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History: APT9M100B

Liste

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