SGM3055 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SGM3055
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SOT89
SGM3055 Datasheet (PDF)
sgm3055.pdf
SGM3055 5.8A , 30V , RDS(ON) 28 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-89 The GM3055 provide the designer with the best Acombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-89 package 4Top View
nsgm300gb120b.pdf
RoHS NSGM300GB..B Series RoHS SEMICONDUCTORIGBT Module (2 in one-package), 300A Features1. High frequency operation2. Low losses and soft switching3. Isolated baseplate for easy heat sinking 4. Discrete super-fast recovery free-wheel diode5. Small temperature dependence of the turn-off switching loss Typical Applications48.5AC Motor Control25 25DC Motor ControlUPS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918