2N6802JANTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N6802JANTXV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6802JANTXV

2N6802JANTXV Datasheet (PDF)

8.1. Size:197K international rectifier
2n6802u.pdf

PD - 91719BIRFE430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802UHEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6802USURFACE MOUNT (LCC-18) [REF:MIL-PRF-19500/557]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE430 500V 1.50 2.5ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged

8.2. Size:129K international rectifier
2n6802 irff430.pdf

PD -90433CIRFF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6802THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF430 500V 1.5 2.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

8.3. Size:66K omnirel
2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf

2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N68002N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/557DESCRIPTIO

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Liste

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