SID9435 Todos los transistores

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SID9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SID9435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 31 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 187 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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SID9435 Datasheet (PDF)

1.1. sid9435.pdf Size:667K _secos

SID9435
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SID9435 ? -20A, -30V,RDS(ON)50m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product TO-251 Description 2.3± 0.1 6.6± 0.2 5.3± 0.2 0.5± 0.05 The SID9435 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. 7.0± 0.2 5.6± 0.2 The TO-251 is universa

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