SID9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SID9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de SID9435 MOSFET
SID9435 Datasheet (PDF)
sid9435.pdf

SID9435-20A, -30V,RDS(ON)50m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductTO-251Description2.30.16.60.25.30.2 0.50.05The SID9435 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device.7.00.25.60.2The TO-251 is univ
Otros transistores... SGM2306A , SGM2310A , SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , IRF3205 , SID9575 , SID9971 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N .
History: 2SK3604-01L | 10NN15 | LND7N60
History: 2SK3604-01L | 10NN15 | LND7N60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet