SMG2310A Todos los transistores

 

SMG2310A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMG2310A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59
 

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SMG2310A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  secos
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SMG2310A

SMG2310A N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 5.0 A, 60 V, RDS(ON)=115 m Elektronische Bauelemente sRoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTIONS AThe SMG2310A utilized advanced processing techniques to achieve the Llowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness 33device. The SMG2310A is univers

 7.1. Size:705K  secos
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SMG2310A

SMG2310N 2.2A, 30V, RDS(ON) 65 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell ADensity process. Low RDS(on) assures minimal power loss and Lconserves energy, making this device ideal for use in power 33

 8.1. Size:469K  secos
smg2318n.pdf pdf_icon

SMG2310A

SMG2318N 1.2 A, 30 V, RDS(ON) 160 m N-Channel Logic Level MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ALensure minimal power loss and heat dissipation. 33T

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SMG2310A

SMG2314NE 4 A, 20 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and ALconserves energy, making this device ideal for use in power

Otros transistores... SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE , SMG2306A , SMG2306N , SMG2306NE , IRF3710 , SMG2310N , SMG2314N , SMG2314NE , SMG2318N , SMG2319P , SMG2321P , SMG2322N , SMG2325P .

History: IRFS142 | AO4912 | PSMN013-30MLC | STD10NM65N | SSG4394N | KO8822 | DMTH8003SPS-13

 

 
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