SMG2310N Todos los transistores

 

SMG2310N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMG2310N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59
     - Selección de transistores por parámetros

 

SMG2310N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  secos
smg2310n.pdf pdf_icon

SMG2310N

SMG2310N 2.2A, 30V, RDS(ON) 65 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell ADensity process. Low RDS(on) assures minimal power loss and Lconserves energy, making this device ideal for use in power 33

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SMG2310N

SMG2310A N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 5.0 A, 60 V, RDS(ON)=115 m Elektronische Bauelemente sRoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTIONS AThe SMG2310A utilized advanced processing techniques to achieve the Llowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness 33device. The SMG2310A is univers

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smg2318n.pdf pdf_icon

SMG2310N

SMG2318N 1.2 A, 30 V, RDS(ON) 160 m N-Channel Logic Level MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ALensure minimal power loss and heat dissipation. 33T

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smg2314ne.pdf pdf_icon

SMG2310N

SMG2314NE 4 A, 20 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and ALconserves energy, making this device ideal for use in power

Otros transistores... SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P , SMG2305PE , SMG2306A , SMG2306N , SMG2306NE , SMG2310A , IRFB4110 , SMG2314N , SMG2314NE , SMG2318N , SMG2319P , SMG2321P , SMG2322N , SMG2325P , SMG2326N .

History: AP2R803GH-HF | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | WFP5N50 | WFY3N02 | APT904R2AN | IRF9Z34

 

 
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