SMG2319P Todos los transistores

 

SMG2319P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMG2319P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SC59

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SMG2319P datasheet

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SMG2319P

SMG2319P -2.1A , -30V , RDS(ON) 200 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 The miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal A L power loss and conserves energy, making this 3 3 device ideal for use in power m

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SMG2319P

SMG2318N 1.2 A, 30 V, RDS(ON) 160 m N-Channel Logic Level MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to A L ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 T

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smg2310a.pdf pdf_icon

SMG2319P

SMG2310A N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 5.0 A, 60 V, RDS(ON)=115 m Elektronische Bauelemente sRoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTIONS A The SMG2310A utilized advanced processing techniques to achieve the L lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness 3 3 device. The SMG2310A is univers

 8.3. Size:139K  secos
smg2314ne.pdf pdf_icon

SMG2319P

SMG2314NE 4 A, 20 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and A L conserves energy, making this device ideal for use in power

Otros transistores... SMG2306A , SMG2306N , SMG2306NE , SMG2310A , SMG2310N , SMG2314N , SMG2314NE , SMG2318N , IRFB4115 , SMG2321P , SMG2322N , SMG2325P , SMG2326N , SMG2327P , SMG2328 , SMG2328NE , SMG2328S .

 

 

 

 

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