SMG2327P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMG2327P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: SC59
Búsqueda de reemplazo de SMG2327P MOSFET
SMG2327P Datasheet (PDF)
smg2327p.pdf

SMG2327P -3.6 A, -20 V, RDS(ON) 52 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 The miniature surface mount MOSFETs utilize high Acell density process.Low RDS(on) assures minimal power L3loss and conserves energy, making this device ideal for 3use in power man
smg2321p.pdf

SMG2321P -4.1A , -20V , RDS(ON) 79 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTION The miniature surface mount MOSFETs utilize Ahigh cell density process. Low RDS(on) assures minimal L3power loss and conserves energy, making this device 3Top View C Bideal for use
smg2325p.pdf

SMG2325P -3.6 A, -20 V, RDS(ON) 55 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure ALminimal power loss and heat dissipation. Typical applicati
smg2322n.pdf

SMG2322N 2.5A, 30V, RDS(ON) 85 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) ALand to ensure minimal power loss and heat dissipation. 33Top View C B11 2
Otros transistores... SMG2314N , SMG2314NE , SMG2318N , SMG2319P , SMG2321P , SMG2322N , SMG2325P , SMG2326N , AON7408 , SMG2328 , SMG2328NE , SMG2328S , SMG2329P , SMG2330N , SMG2334N , SMG2334NE , SMG2336N .
History: STFI9N60M2 | UPA2379T1P
History: STFI9N60M2 | UPA2379T1P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor