SMG2334NE Todos los transistores

 

SMG2334NE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMG2334NE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SC59

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SMG2334NE datasheet

 ..1. Size:291K  secos
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SMG2334NE

SMG2334NE 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high A cell density trench process to provide low RDS(on) and to L ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 Top View C B 1 1

 6.1. Size:407K  secos
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SMG2334NE

SMG2334N 3.5A, 30V, RDS(ON) 60m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and A L to ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 Top View C B 1 1 2

 8.1. Size:65K  secos
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SMG2334NE

SMG2330N 5.2A, 30V, RDS(ON) 32m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize High A Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power L loss and conserves energy, making this device ideal for 3 3 use

 8.2. Size:68K  secos
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SMG2334NE

SMG2336N 2.5 A, 30 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. A L 3 3 Top

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