SMG2391P Todos los transistores

 

SMG2391P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SMG2391P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59
 

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SMG2391P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1822K  secos
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SMG2391P

SMG2391P -0.9A , -150V , RDS(ON) 1.2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 FEATURES Low RDS(on) trench technology AL Low thermal impedance 33 Fast switching speed Top View C B11 22K EAPPLICATIONS D PoE Power Sourcing Equipment

 8.1. Size:136K  secos
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SMG2391P

SMG2390N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.1 A, 150 V, RDS(ON) 0.700 Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power ALloss and heat dissipation. Typical applica

 8.2. Size:140K  secos
smg2398ne.pdf pdf_icon

SMG2391P

SMG2398NE 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss ALand heat dissipation. Typical applicat

 8.3. Size:137K  secos
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SMG2391P

SMG2398N 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, ALmaking this device ideal for use in power

Otros transistores... SMG2343 , SMG2343P , SMG2343PE , SMG2358N , SMG2359P , SMG2370N , SMG2371P , SMG2390N , AON7506 , SMG2398N , SMG2398NE , SMG3400 , SMG3401 , SMG3402 , SMG3403 , SMG3407 , SMG5403 .

History: WMK048NV6HG4 | PSMN013-100YSE | IXFP18N65X2 | SFR9224 | DMT6009LPS-13 | WMK13N65EM | PJM2302NSA

 

 
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