SMG5406 Todos los transistores

 

SMG5406 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMG5406

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SC59

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SMG5406 datasheet

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SMG5406

SMG5406 3.6A , 30V , RDS(ON) 65 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION The SMG5406 utilized advanced processing A L techniques to achieve the lowest possible on-resistance, 3 3 extremely efficient and cost-effectiveness device. The To

 8.1. Size:364K  secos
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SMG5406

SMG5403 -2.6A , -30V , RDS(ON) 115 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 The SMG5403 uses advanced trench technology to A provide excellent on-resistance with low gate change. L 3 The device is suitable for use as a load switch or in P

 8.2. Size:1688K  secos
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SMG5406

SMG5409 -2.6A , -30V , RDS(ON) 120 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION A The SMG5409 provide the designer with best combination L 3 of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. 3 The SMG5409 is universally preferred f

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