SMG5406 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SMG5406
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 62 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SC59
SMG5406 Datasheet (PDF)
smg5406.pdf
SMG5406 3.6A , 30V , RDS(ON) 65 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION The SMG5406 utilized advanced processing ALtechniques to achieve the lowest possible on-resistance, 33extremely efficient and cost-effectiveness device. The To
smg5403.pdf
SMG5403 -2.6A , -30V , RDS(ON) 115 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 The SMG5403 uses advanced trench technology to Aprovide excellent on-resistance with low gate change. L3The device is suitable for use as a load switch or in P
smg5409.pdf
SMG5409 -2.6A , -30V , RDS(ON) 120 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION AThe SMG5409 provide the designer with best combination L3of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. 3The SMG5409 is universally preferred f
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
