SSD30N03-40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSD30N03-40D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 4 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSD30N03-40D
SSD30N03-40D Datasheet (PDF)
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SSD30N10-50D 26A, 100V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low R
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