SSD45N03 Todos los transistores

 

SSD45N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD45N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 57.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO252

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SSD45N03 datasheet

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SSD45N03

SSD45N03 45A, 25V,RDS(ON)9m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET Description TO-252 The SSD45N03 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for low voltag

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