SSD60N04-12D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSD60N04-12D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 53 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 5 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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SSD60N04-12D Datasheet (PDF)
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SSD60N04-12D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 53A, 40V, RDS(ON) 12m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack) process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC
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