SSD60N04-12D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSD60N04-12D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SSD60N04-12D MOSFET
SSD60N04-12D Datasheet (PDF)
ssd60n04-12d.pdf

SSD60N04-12D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 53A, 40V, RDS(ON) 12m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack)process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC
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History: SSF1341 | US6K2 | JMSH1509AE
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Liste
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