SSD60N04-12D Todos los transistores

 

SSD60N04-12D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD60N04-12D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 53 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SSD60N04-12D Datasheet (PDF)

1.1. ssd60n04-12d.pdf Size:145K _secos

SSD60N04-12D
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SSD60N04-12D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 53A, 40V, RDS(ON) 12m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack) process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC

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