SSD60N04-12D Todos los transistores

 

SSD60N04-12D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSD60N04-12D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SSD60N04-12D Datasheet (PDF)

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SSD60N04-12D

SSD60N04-12D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 53A, 40V, RDS(ON) 12m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench TO-252(D-Pack)process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC

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History: SIHLZ34L | NVATS5A302PLZ | FXN8N65F | BSC026N02KSG | IXFQ28N60P3 | VB8338 | 2N5904

 

 
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