SSD95N03 Todos los transistores

 

SSD95N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSD95N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SSD95N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1403K  secos
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SSD95N03

SSD95N03 96A , 30V , RDS(ON) 4m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) The SSD95N03 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter a

 9.1. Size:1027K  secos
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SSD95N03

SSD9575-15A, -60V,RDS(ON)90m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionTO-252The SSD9575 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggerized device device design, low on-resistance and cost -effectiveness.The TO-252 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applic

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History: IRC320 | 2N7066 | IRFH3707PBF | BUK109-50GL

 

 
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