SSE70N10-44P Todos los transistores

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SSE70N10-44P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSE70N10-44P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.044 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220P

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SSE70N10-44P Datasheet (PDF)

1.1. sse70n10-44p.pdf Size:75K _secos

SSE70N10-44P
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SSE70N10-44P 70A , 100V , RDS(ON) 44m? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a D high cell density trench process to provide low RDS(on) C and to ensure minimal power loss and heat dissipation. B R T

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