SSG4390N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSG4390N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.625 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SSG4390N datasheet
ssg4392n.pdf
SSG4392N 2.9A, 150V, RDS(ON) 255 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L D M FEATURES A
ssg4394n.pdf
SSG4394N 6.5A 150V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L D M
ssg4362n.pdf
SSG4362N 18.6 A, 30 V, RDS(ON) 6 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to B provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power L D management in portable and battery-po
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History: AON6850
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Liste
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