Справочник MOSFET. SSG4390N

 

SSG4390N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSG4390N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.625 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SSG4390N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSG4390N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  secos
ssg4390n.pdfpdf_icon

SSG4390N

SSG4390N 1.9A, 150V, RDS(ON) 625m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DMFEATURES

 8.1. Size:537K  secos
ssg4392n.pdfpdf_icon

SSG4390N

SSG4392N 2.9A, 150V, RDS(ON) 255 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DMFEATURES A

 8.2. Size:491K  secos
ssg4394n.pdfpdf_icon

SSG4390N

SSG4394N 6.5A 150V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DM

 9.1. Size:502K  secos
ssg4362n.pdfpdf_icon

SSG4390N

SSG4362N 18.6 A, 30 V, RDS(ON) 6 mN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to Bprovide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power L Dmanagement in portable and battery-po

Другие MOSFET... SSF1331P , SSF7400 , SSF7401 , SSF84W , SSG0410 , SSG4224 , SSG4228 , SSG4362N , IRF640N , SSG4392N , SSG4394N , SSG4402N , SSG4407P , SSG4410N , SSG4434N , SSG4435 , SSG4436N .

History: IRF9388 | IXTP12N70X2 | IRF7470TRPBF-10 | NVMFD024N06CT1G | STB8NM60D

 

 
Back to Top

 


 
.