SSG4392N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSG4392N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.255 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSG4392N

SSG4392N Datasheet (PDF)

..1. Size:537K secos
ssg4392n.pdf

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8.1. Size:469K secos
ssg4390n.pdf

SSG4390N 1.9A, 150V, RDS(ON) 625m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DMFEATURES

8.2. Size:491K secos
ssg4394n.pdf

SSG4394N 6.5A 150V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DM

9.1. Size:502K secos
ssg4362n.pdf

SSG4362N 18.6 A, 30 V, RDS(ON) 6 mN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to Bprovide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power L Dmanagement in portable and battery-po

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Liste

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