SSG4392N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSG4392N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.255 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSG4392N Datasheet (PDF)
ssg4392n.pdf

SSG4392N 2.9A, 150V, RDS(ON) 255 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DMFEATURES A
ssg4390n.pdf

SSG4390N 1.9A, 150V, RDS(ON) 625m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DMFEATURES
ssg4394n.pdf

SSG4394N 6.5A 150V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L DM
ssg4362n.pdf

SSG4362N 18.6 A, 30 V, RDS(ON) 6 mN-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to Bprovide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power L Dmanagement in portable and battery-po
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRF6775M | APM4536K | NDT6N70 | MTP8P25 | SSS1N60A | IPD50R280CE | SHDCG225715
History: IRF6775M | APM4536K | NDT6N70 | MTP8P25 | SSS1N60A | IPD50R280CE | SHDCG225715



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710