SSG4501 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSG4501
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.2(20) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150(440) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SSG4501 datasheet
ssg4501.pdf
SSG4501 N Channel 7A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -5.3A, -30V,RDS(ON) 50m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o 0.375 REF The SSG4501 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.20 5.80 0.25 rugged
ssg4503.pdf
SSG4503 N Channel 6.9A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -6.3A, -30V,RDS(ON) 36m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o 0.375 REF The SSG4503 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.20 5.80 0.25 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
ssg4502ce.pdf
SSG4502CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch 10.0 A, 30 V, RDS(ON) 16 m Elektronische Bauelemente P-Ch -8.5A, -30 V, RDS(ON) 23 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a B high cell density trench process to provide low RDS(on)
ssg4505.pdf
SSG4505 N Channel 10A, 30V,RDS(ON) 14m P Channel -8.4A, -30V,RDS(ON) 20m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o 0.375 REF The SSG4505 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.20 5.80 0.25 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 3.
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