Справочник MOSFET. SSG4501

 

SSG4501 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSG4501
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.2(20) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(440) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SSG4501

 

 

SSG4501 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  secos
 ssg4501.pdf

SSG4501 SSG4501

SSG4501N Channel 7A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -5.3A, -30V,RDS(ON) 50m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4501 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25rugged

 8.1. Size:1192K  secos
 ssg4503.pdf

SSG4501 SSG4501

SSG4503N Channel 6.9A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -6.3A, -30V,RDS(ON) 36m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4503 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

 8.2. Size:3228K  secos
 ssg4502ce.pdf

SSG4501 SSG4501

SSG4502CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 10.0 A, 30 V, RDS(ON) 16 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -8.5A, -30 V, RDS(ON) 23 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a Bhigh cell density trench process to provide low RDS(on)

 8.3. Size:979K  secos
 ssg4505.pdf

SSG4501 SSG4501

SSG4505N Channel 10A, 30V,RDS(ON) 14m P Channel -8.4A, -30V,RDS(ON) 20m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4505 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 3.

 8.4. Size:1023K  secos
 ssg4502c.pdf

SSG4501 SSG4501

SSG4502C N-Ch: 10 A, 30 V, RDS(ON) 16 mP-Ch: -8.5 A, -30 V, RDS(ON) 23 mElektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power lo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top