SSG4502CE Todos los transistores

 

SSG4502CE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG4502CE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9(16) nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SSG4502CE datasheet

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SSG4502CE

SSG4502CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch 10.0 A, 30 V, RDS(ON) 16 m Elektronische Bauelemente P-Ch -8.5A, -30 V, RDS(ON) 23 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a B high cell density trench process to provide low RDS(on)

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SSG4502CE

SSG4502C N-Ch 10 A, 30 V, RDS(ON) 16 m P-Ch -8.5 A, -30 V, RDS(ON) 23 m Elektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power lo

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SSG4502CE

SSG4503 N Channel 6.9A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -6.3A, -30V,RDS(ON) 36m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o 0.375 REF The SSG4503 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.20 5.80 0.25 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

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SSG4502CE

SSG4505 N Channel 10A, 30V,RDS(ON) 14m P Channel -8.4A, -30V,RDS(ON) 20m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o 0.375 REF The SSG4505 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.20 5.80 0.25 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 3.

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