SSG4530C MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSG4530C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG4530C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5(2.8) nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SSG4530C datasheet

..1. Size:738K secos
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SSG4530C N-Ch 5.3A, 30V, RDS(ON) 82 m P-Ch -5.2A, -30V, RDS(ON) 80 m Elektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on)

8.1. Size:120K secos
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SSG4536C N-Ch 7.1A, 30V, RDS(ON) 28 m P-Ch -6A, -30V, RDS(ON) 39 m Elektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) a

9.1. Size:1192K secos
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SSG4503 N Channel 6.9A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -6.3A, -30V,RDS(ON) 36m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 o 0.375 REF The SSG4503 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.20 5.80 0.25 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

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SSG4512CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch 6.9 A, 30 V, RDS(ON) 31 m Elektronische Bauelemente P-Ch -5.2 A, -30 V, RDS(ON) 52 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a B high cell density trench process to provide low RDS(on)