SSP7150N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSP7150N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.255 Ohm

Encapsulados: SOP8PP

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SSP7150N datasheet

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SSP7150N

SSP7150N 3.6A, 150V, RDS(ON) 255 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOP-8PP Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. APPLICATIONS White LED boost converters. Automotive Systems. Industrial DC/DC Convers

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