SSP7150N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSP7150N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.255 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8PP

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SSP7150N Datasheet (PDF)

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SSP7150N 3.6A, 150V, RDS(ON) 255 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOP-8PP Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. APPLICATIONS White LED boost converters. Automotive Systems. Industrial DC/DC Convers

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Liste

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