SSP7150N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP7150N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.255 Ohm

Тип корпуса: SOP8PP

Аналог (замена) для SSP7150N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP7150N даташит

 ..1. Size:898K  secos
 ssp7150n.pdf pdf_icon

SSP7150N

SSP7150N 3.6A, 150V, RDS(ON) 255 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOP-8PP Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. APPLICATIONS White LED boost converters. Automotive Systems. Industrial DC/DC Convers

Другие IGBT... SSG9435P, SSG9475, SSG9575, SSK3018K, SSM0410, SSM452, SSM9971, SSN3541, 75N75, SSP7200N, SSP7300N, SSP7411P, SSP7421P, SSP7430N, SSP7431P, SSP7432N, SSP7434N