SSP7461P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSP7461P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15.3 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8PP
Búsqueda de reemplazo de SSP7461P MOSFET
SSP7461P Datasheet (PDF)
ssp7461p.pdf

SSP7461P -10 A, -60 V, RDS(ON) 45 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PPDESCRIPTION BThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-
ssp7464n.pdf

SSP7464N 6.4 A, 60 V, RDS(ON) 82 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PPDESCRIPTION BThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-D
ssp7460n.pdf

SSP7460N 12 A, 60 V, RDS(ON) 26 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PPDESCRIPTION BThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC
ssp7462n.pdf

SSP7462N 13 A, 60 V, RDS(ON) 22 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PPDESCRIPTION BThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC
Otros transistores... SSP7431P , SSP7432N , SSP7434N , SSP7436N , SSP7438N , SSP7440N , SSP7442N , SSP7460N , 2SK3918 , SSP7462N , SSP7464N , SSP7480N , SSP7481P , SSPS7321P , SSPS7330N , SSPS7331P , SSPS7332N .



Liste
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