SSRF50P04-16 Todos los transistores

 

SSRF50P04-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSRF50P04-16
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SSRF50P04-16 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSRF50P04-16 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  secos
 ssrf50p04-16.pdf pdf_icon

SSRF50P04-16

SSRF50P04-16 50A, -40V, RDS(ON) 16m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC

Otros transistores... SSPS7331P , SSPS7332N , SSPS7333P , SSPS7334N , SSQ5N50 , SSQ6N60 , SSRF30N20-400 , SSRF4N60 , IRF540N , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 , SST2605 , SSPS922NE , SSPS924NE , SSU50N10 .

History: 2N60G | 2SK1824

 

 
Back to Top

 


 
.