SSRF50P04-16 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSRF50P04-16
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 44 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: ITO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSRF50P04-16 Datasheet (PDF)
ssrf50p04-16.pdf

SSRF50P04-16 50A, -40V, RDS(ON) 16m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PSMN4R2-30MLD | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | 2SJ549 | PNMET20V06E
History: PSMN4R2-30MLD | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | 2SJ549 | PNMET20V06E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10