SSRF90N06-10 Todos los transistores

 

SSRF90N06-10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSRF90N06-10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0099 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO220
 

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SSRF90N06-10 Datasheet (PDF)

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SSRF90N06-10

SSRF90N06-10 90A, 60V, RDS(ON) 9.9m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC

 5.1. Size:321K  secos
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SSRF90N06-10

SSRF90N06 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 87A, 60V, RDS(ON) 26.5m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC c

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History: JMTE070N07A | IRF7309I | IXFP34N65X2 | MTD3055EL | STD11NM65N | NTTFS5C478NL | SPTA65R160

 

 
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