SSPS924NE Todos los transistores

 

SSPS924NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSPS924NE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X38PP

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SSPS924NE Datasheet (PDF)

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SSPS924NE
SSPS924NE

SSPS924NE 9.2A , 20V , RDS(ON) 12 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN3x3-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation.

 8.1. Size:532K  secos
ssps922ne.pdf

SSPS924NE
SSPS924NE

SSPS922NE 8.2 A , 20 V , RDS(ON) 17.5 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN3x3-8PP These miniature surface mount MOSFETs Butilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation

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