STT2604 Todos los transistores

 

STT2604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT2604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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STT2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  secos
 stt2604.pdf pdf_icon

STT2604

STT26045.5A, 30V,RDS(ON) 45m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionThe STT2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.The STT2604 is universally used for all commercial-industrial applications.Features* Lower Gate Ch

 8.1. Size:590K  secos
 stt2605.pdf pdf_icon

STT2604

STT2605-4.0A, -30V,RDS(ON) 80m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionThe STT2605 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.The STT2605 is universally used for all commercial-industrial applications.Features* Fast Switch

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History: P6503NJ

 

 
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