STT2604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT2604
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
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STT2604 Datasheet (PDF)
stt2604.pdf
STT26045.5A, 30V,RDS(ON) 45m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionThe STT2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.The STT2604 is universally used for all commercial-industrial applications.Features* Lower Gate Ch
stt2605.pdf
STT2605-4.0A, -30V,RDS(ON) 80m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionThe STT2605 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.The STT2605 is universally used for all commercial-industrial applications.Features* Fast Switch
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