STT2604 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT2604  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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STT2604 datasheet

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STT2604

STT2604 5.5A, 30V,RDS(ON) 45m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product Description The STT2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device. The STT2604 is universally used for all commercial-industrial applications. Features * Lower Gate Ch

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STT2604

STT2605 -4.0A, -30V,RDS(ON) 80m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product Description The STT2605 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device. The STT2605 is universally used for all commercial-industrial applications. Features * Fast Switch

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