STT2604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT2604
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
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STT2604 Datasheet (PDF)
stt2604.pdf
STT26045.5A, 30V,RDS(ON) 45m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionThe STT2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.The STT2604 is universally used for all commercial-industrial applications.Features* Lower Gate Ch
stt2605.pdf
STT2605-4.0A, -30V,RDS(ON) 80m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionThe STT2605 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.The STT2605 is universally used for all commercial-industrial applications.Features* Fast Switch
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History: RU1H150R
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