FDB5680 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB5680

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO263AB

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FDB5680 datasheet

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FDB5680

July 2000 FDP5680/FDB5680 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET General Description Features 40 A, 60 V. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 10 V This N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.023 @ VGS = 6 V. to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

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FDB5680

July 2000 FDP5690/FDB5690 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET General Description Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 V This N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.032 @ VGS = 6 V. to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

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FDB5680

March 2000 FDP5645/FDB5645 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed 80 A, 60 V. RDS(ON) = 0.0095 @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 0.011 @ VGS = 6 V. converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critical DC electrical parameters

Otros transistores... F5038H, FA38SA50LC, FA57SA50LC, FB180SA10, AO3423B, AS2306, FDB4020P, FDB4030L, 2N7002, FDB5690, FDB6030BL, FDB6030L, FDB6035AL, FDB6035L, FDB603AL, FDB6670AL, FDB7030BL