FDB5680 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB5680
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB5680

FDB5680 Datasheet (PDF)

..1. Size:131K fairchild semi
fdp5680 fdb5680.pdf

July 2000FDP5680/FDB568060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 40 A, 60 V. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.023 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

9.1. Size:82K fairchild semi
fdp5690 fdb5690.pdf

July 2000FDP5690/FDB569060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.032 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev

9.2. Size:389K fairchild semi
fdb5645 fdp5645.pdf

March 2000FDP5645/FDB564560V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 80 A, 60 V. RDS(ON) = 0.0095 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.011 @ VGS = 6 V.converters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Critical DC electrical parameters

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Liste

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