FDB5680 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDB5680
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO263AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FDB5680 Datasheet (PDF)
fdp5680 fdb5680.pdf

July 2000FDP5680/FDB568060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 40 A, 60 V. RDS(ON) = 0.020 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.023 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev
fdp5690 fdb5690.pdf

July 2000FDP5690/FDB569060V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETGeneral Description Features 32 A, 60 V. RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 VThis N-Channel MOSFET has been designed specifically RDS(ON) = 0.032 @ VGS = 6 V.to improve the overall efficiency of DC/DC convertersusing either synchronous or conventional switching PWM Critical DC electrical parameters specified at ev
fdb5645 fdp5645.pdf

March 2000FDP5645/FDB564560V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel MOSFET has been designed 80 A, 60 V. RDS(ON) = 0.0095 @ VGS = 10 Vspecifically to improve the overall efficiency of DC/DCRDS(ON) = 0.011 @ VGS = 6 V.converters using either synchronous or conventionalswitching PWM controllers. Critical DC electrical parameters
Другие MOSFET... F5038H , FA38SA50LC , FA57SA50LC , FB180SA10 , AO3423B , AS2306 , FDB4020P , FDB4030L , 12N60 , FDB5690 , FDB6030BL , FDB6030L , FDB6035AL , FDB6035L , FDB603AL , FDB6670AL , FDB7030BL .
History: MCH3484 | DMN30H4D0L
History: MCH3484 | DMN30H4D0L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor