STT3471P Todos los transistores

 

STT3471P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT3471P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
     - Selección de transistores por parámetros

 

STT3471P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  secos
stt3471p.pdf pdf_icon

STT3471P

STT3471P -2A, -100V, RDS(ON) 350 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize Aa high cell density trench process to provide Low RDS(on) ELand to ensure minimal power loss and heat dissipation. 6 5 4FEATURES

 8.1. Size:183K  secos
stt3470n.pdf pdf_icon

STT3471P

STT3470N 2.2 A, 100 V, RDS(ON) 280 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize A a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) ELand to ensure minimal power loss and heat dissipation. 6 5 4 Typ

 9.1. Size:184K  secos
stt3434n.pdf pdf_icon

STT3471P

STT3434N 6 A, 30 V, RDS(ON) 32 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize A a high cell density trench process to provide Low RDS(on) ELand to ensure minimal power loss and heat dissipation. 6 5 4 Typical

 9.2. Size:631K  secos
stt3490n.pdf pdf_icon

STT3471P

STT3490N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.2 A, 150 V, RDS(ON) 700 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free KEY FEATURES TSOP-6 Low RDS(on) trench technology. AE Low thermal impedance. L Fast switching speed. 6 5 4TYPICAL APPLICATIONS B White LED boost converters. Automotive S

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTH10N60 | SIS413DN | 2N5163 | SRC60R145B | BF1205C | IRFU4510 | 6N60KL-TMS4-T

 

 
Back to Top

 


 
.