STT3599C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT3599C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12(15) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62(126) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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STT3599C datasheet

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STT3599C

STT3599C (N-Ch) 3.7 A, 30 V, RDS(ON) 63 m (P-Ch) -2.7 A, -30 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density A trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power

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STT3599C

STT3585 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m -2.5A, -20V, RDS(ON) 160m Elektronische Bauelemente N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TSOP-6 The STT3585 provide the designer with best combination A of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness. E L The TSOP-6 packag

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STT3599C

STT3520C N-Ch 3.7 A, 23 V, RDS(ON) 58 m P-Ch -2.7 A, -23 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density A process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves E e

Otros transistores... STT3457P, STT3458N, STT3463P, STT3470N, STT3471P, STT3490N, STT3520C, STT3585, AON7408, STT3810N, STT3922N, STT3962N, STT3962NE, STT3981, STT3998N, STT4443, STT6405