STT3599C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT3599C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12(15) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62(126) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
STT3599C Datasheet (PDF)
stt3599c.pdf

STT3599C (N-Ch) 3.7 A, 30 V, RDS(ON) 63 m (P-Ch) -2.7 A, -30 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density Atrench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power
stt3585.pdf

STT3585 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m-2.5A, -20V, RDS(ON) 160mElektronische Bauelemente N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TSOP-6 The STT3585 provide the designer with best combination Aof fast switching, low on-resistance and cost effectiveness. ELThe TSOP-6 packag
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STT3520C N-Ch: 3.7 A, 23 V, RDS(ON) 58 m P-Ch: -2.7 A, -23 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density Aprocess. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves Ee
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History: 2SK2499-Z
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