STT3981 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT3981
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT3981

STT3981 Datasheet (PDF)

..1. Size:902K secos
stt3981.pdf

STT3981 -1.6 A, -20 V, RDS(ON) 180 m P-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION The STT3981 utilized advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The STT3981 is universally used for all comme

9.1. Size:100K secos
stt3922n.pdf

STT3922N 4.1A, 20V, RDS(ON) 47m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to ELensure minimal power loss and heat dissipation.

9.2. Size:99K secos
stt3962ne.pdf

STT3962NE 2.3A , 60V , RDS(ON) 0.153 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to ELensure minimal power loss and heat dissipation

9.3. Size:438K secos
stt3962n.pdf

STT3962N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 2.3 A, 60 V, RDS(ON) 0.153 Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density AEprocess. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves Lenergy, making this device ideal for use in powe

9.4. Size:163K secos
stt3998n.pdf

STT3998N Dual N-Ch Enhancement Mode Mos.FET 3.7 A, 20 V, RDS(ON) 58 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6DESCRIPTION A These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density EL trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power 6 5 4 loss and heat dissipation. Typic

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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