SUM6K1N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUM6K1N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: SOT363

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SUM6K1N datasheet

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SUM6K1N

SUM6K1N 0.15 W, 100 mA, 30 V Plastic Encapsulated Elektronische Bauelemente Dual N-channel MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES A protection diode has been built in between the gate and the source to protect against static electricity when the product is in use. Transistor elements independent, eliminating interference

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