SUM6K1N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SUM6K1N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUM6K1N

SUM6K1N Datasheet (PDF)

..1. Size:368K secos
sum6k1n.pdf

SUM6K1N 0.15 W, 100 mA, 30 V Plastic Encapsulated Elektronische Bauelemente Dual N-channel MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES A protection diode has been built in between the gate and the source to protect against static electricity when the product is in use. Transistor elements independent, eliminating interference

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: